半导体照明是正处于方兴未艾的产业，随着化合物半导体市场的扩展，特种气体的需求呈现更大的增长，外延生长需要大量的超纯源和过程气体。目前台湾和日本的化合物半导体市场上占有率较高，近年来，中国、韩国的发展势头强劲，北美、欧洲的占有率也有所增长。应用于半导体技术中的特种气体因为种类繁多、品质要求严格，生产、充装、运送、储存都有技术及安全的要求，再加上经济规模等因素，需要多方面的积累，才能实现规模化生产，因此目前国内呈现现市场大、供应能力小的局面。    半导体工业用气体品种多、质量要求高、用量少，大部分是有毒或腐蚀性气体。品种高达百余种。半导体工业特种气体应用分类，主要包括：    1、硅族气体：含硅基的硅烷类，如硅烷、二氯二氢硅、乙硅烷等。    2、掺杂气体：含硼、磷、砷等三族及五族原子之气体，如三氯化硼、三氟化硼、磷烷、砷烷等。    3、蚀刻清洗气体：以含卤化物及卤碳化合物为主，如氯气、三氟化氮、溴化氢、四氟化碳、六氟乙烷等。    4、反应气体：以碳系及氮系氧化物为主，如二氧化碳、氨、氧化亚氮等。    5、金属气相沉积气体：含卤化金属及有机烷类金属，如六氟化钨、三甲基镓等。    在LED产业链中，外延技术、设备和材料是外延片制造技术的关键。当前MOCVD工艺已成为制造绝大多数光电子材料的基本技术。外延技术需要的超纯特种气体包括高纯砷烷、高纯磷烷、高纯氨气，砷化镓生产中应用硅烷N型掺杂，而氯化氢和氯气常常用做蚀刻气，氩、氢、氮则是必须的载气。同时外延生长需要的有机源主要是三甲基镓，三甲基铟，三甲基铝，二乙基锌，二甲基锌，二茂镁等。现有技术的发展对这些产品的品质要求也越来越高。    在半导体化合物生产过程中，除了纯特种所之外，还需要部分混合气体，主要包括SiH4/H2.SiH4/N2作为成膜源用量尽管不大，但是对产品质量要求极高，配制混合气体的露点达到-95℃以下，只有这样才可以保证外延片生长的成品率。    化合物半导体产业的扩展，带动原材料市场的迅速提升，包括晶圆、衬底、蚀刻剂、过程气体、有机金属化合物、测试和包装材料等的需求每年以大约21%的比例递增，而过程气体（砷烷、磷烷、氨气、氩、氢、氮、氯化氢、氯气等）占整体原料的消耗8%。